Scripta Juridica 8 - Casebook 4. vyd.

2.14 Diplomatický a konzulární personál USA v Teheránu USA v. Írán Mezinárodní soudní dvůr, 1980 30 klíčová slova: odpovědnost státu za jednání soukromých osob – sankce v rámci systému diplomatického práva Skutečnosti tvořící podklad pro rozhodnutí soudu Během demonstrace na podporu islámské revoluce dne 4. listopadu 1979 proniklo zhruba 3000 osob do ohrazeného prostoru velvyslanectví Spojených států v Teheránu. Ozbrojená skupina několika set osob následně obsadi- la budovu a zajala všechny členy diplomatické a konzulární mise. Íránské bezpečnostní síly neučinily žádné kroky k zabránění tohoto útoku. Íránská vláda navíc odmítla s reprezentanty USA o nastalé situaci jednat. Spojené státy se obrátily na MSD, který v rámci předběžných opatření nařídil Íránu mimo jiné osvobození rukojmí. Írán to odmítl a popíral kom- petenci MSD v daném případě. Dále Írán argumentoval tím, že velvysla- nectví Spojených států před útokem vyvíjelo špionážní a kriminální aktivity proti Íránu a tím naznačil, že následné akce Íránu je třeba posoudit ve světle protiopatření proti USA. Argumentace a rozhodnutí Soudu 57. (…) Útok a následující postupné obsazení celého prostoru vel- vyslanectví představovaly operaci, která trvala zhruba 3 hodiny, aniž by policejní orgán, vojenská jednotka či oficiální představitel Iránu zasáhl s tím, že by ji zastavili či zdržovali. Výsledkem útoku byla značná škoda na budově a majetku velvyslanectví, násilné otevření a zmocnění se jeho archivů, konfiskace archivů a jiných dokumentů nalezených na velvysla- nectví a, co je to nejhorší, násilné braní diplomatického a konzulárního personálu velvyslanectví, spolu s dvěma občany USA, za rukojmí. 58. Nebylo namítnuto, že by ozbrojenci, když provedli útok na velvy- slanectví, měli oficiální status zástupců či orgánů iránského státu. Jejich jednání, týkající se útoku, obsazení velvyslanectví a násilné braní di- 30 Oficiální citace rozsudku: Case Concerning U.S. Diplomatic and Consular Staff in Tehran (U.S. v. Iran); I.C.J. Reports 1980, p. 3.

83